YSO闪烁晶体具有发光强度较高、衰减时间短、抗辐射能力强、不潮解、物化性能稳定，对γ射线探测效率高等优异性能。在核物理、核医学、高能物理、地质勘探等领域具有广泛的应用。

性能指标：

晶系

单斜晶系

有效原子序数

34

空间群

C62h

密度(g/cm3)

4.44

晶格常数(nm)

a=1.250、b=0.672、c=1.042、β=102º68′

光输出量(Photons/MeV)

30500±2000

熔点(ºC)

1980

衰减时间(ns)

≤42

能量分辨率(%)

≤10

1. 类型: 线阵和二维阵列

产品特点：

针对不同材质的材料，我司可以提供尽量小的像素尺寸

最小的串扰

晶条于晶条和阵列与阵列和批次与批次之间的均一性控制

反射材料：TiO2/BaSO4/ESR/E60

隔断间距: 0.08, 0.1, 0.2, 0.3mm

性能测试包括，散点图，能谱图，均一性测试

2. 锦虹提供不同材质的阵列来满足各种终端应用

我们可以提供包括 CsI(Tl), CsI(Na), CdWO4, LYSO,LSO, YSO, GAGG, BGO,LaBr3 等材质的阵列。根据应用和性能要求，我们可以提供基于TiO2/BaSO4/ESR/E60 的反射材料来做为封装隔断材料。我们的机加工可以实现最小像素的加工，最大限度的满足最优的性能指标和实现最小的串扰和均一性的控制。

3. 各种材质的性能指标：

性能指标

CsI(Tl)

GAGG

CdWO4

LYSO

LSO

BGO

GOS(Pr/Tb)

陶瓷

LaBr3

密度（g/cm3）

4.51

6.6

7.9

7.15

7.3~7.4

7.13

7.34

4.9

吸潮性

轻微

无

无

无

无

无

无

极易

相对光输出(%NaI(Tl)) γ-rays

45

158(HL)/ 132(BL)/79(FD)

32

65-75

75

15-20

71/ 118

130-170

衰减时间(ns)

1000

150(HL)/ 90(BL)/48(FD)

14000

38-42

40

300

3000/ 600000

20

余晖@30ms

0.6-0.8%

0.1-0.2%

0.1-0.2%

N/A

N/A

0.1-0.2%

0.1-0.2%

N/A

阵列规格

线阵和二维

线阵和二维

线阵和二维

二维

二维

二维

线阵和

二维

二维

4. 阵列组装的加工设计

根据不同的最终用途和客户对不同的考量，锦虹提供多种设计方案和设计来满足和服务于医疗，工业无损探伤和安检市场。

对低能X射线检测的安检行业，我司提供CsI(Tl), GOS, GAGG, CdWO4等闪烁体的线性阵列，我们可以提供P1.575, P2.5等不同间距和不同厚度的线阵。我司提供的线阵对闪烁体的均一性，发光效率等经过严格品控，像素和像素间，阵列与阵列间，批次与批次间的均一性严格的品控。

对于医疗ToF-PET, SPECT, CT,小动物和脑部PET扫描领域，我司可以提供LYSO, CsI(Tl), LSO, LYSO, BGO,GAGG, YSO和CsI(Na)阵列来满足不同应用场景和性能要求的需求。

线阵参考图

二维阵列参考图

4-A: 阵列参数: (A,B,C,D参考值)

A.1 材质: 根据用户的需求

A.2 像素大小: 线阵尺寸 A,B,C & 2D 二维面阵的 A, C 可根据用户需求调整

A.3 中心距: 线阵 A+B & 2D 面阵B, D 根据用户需要调整

A.4 隔断间距: 线阵最小 0.1mm 包含胶层 和面阵0.075mm (包含胶层)

A.5 阵列厚度: 根据需要可以提供订制

A.6 晶体表面处理: 抛光，研磨或者其他

4-B: 典型像素尺寸&数量

材料

典型值

晶条数量

线阵

面阵

线阵

面阵

CsI(Tl)

1.275x2.7

1x1mm

1x16

19x19

GAGG

1.275x2.7

0.5x0.5mm

1X16

8x8

CdWO4

1.275x2.7

3x3mm

1x16

8x8

LYSO/LSO/YSO

N/A

1X1mm

N/A

25x25

BGO

N/A

1x1mm

N/A

13X13

GOS(Tb/Pr) 陶瓷

1.275X2.7

1X1mm

1X16

19X19

4-C: 最小像素尺寸

材料

最小像素尺寸

线阵

二维

CsI(Tl)

0.4mm 中心距

0.5mm 中心距

GAGG

0.4mm 中心距

0.2mm中心距

CdWO4

0.4mm 中心距

1mm中心距

LYSO/LSO/YSO

N/A

0.2mm中心距

BGO

N/A

0.2mm中心距

GOS(Tb/Pr) 陶瓷

0.4mm 中心距

1mm 中心距

5.反射层和胶

反射材料

反射层和胶层厚度

线阵

面阵

TiO2

0.1-1mm

0.1—1mm

BaSO4

0.1mm

0.1-0.5mm

ESR

N/A

0.08mm

E60

N/A

0.075mm

6. 阵列应用

应用场景

CsI(Tl)

GAGG

CdWO4

LYSO

LSO

BGO

GOS(Tb/Pr) 陶瓷

PET, ToF-PET

√

√

√

SPECT

√

√

CT

√

√

√

√

NDT

√

√

√

包检

√

√

√

卡车/集装箱

√

√

√

伽马相机

√

√

7. 质量控制

7-1.阵列能量分辨率测试(Na22)

7-2 散点图

7-3.相对光产测试

GAGG和LYSO相对光输出测试，和线阵的相对光输出上机测试

7-4. 均一性

根据不同品质要求，提供 ±5%,±10%, ±15%等不同均一性要求的产品，我们从晶棒到晶块到晶条到组件提供品质筛选。

7-5.阵列内部缺陷测试

7-6.尺寸公差检测（千分尺和两项测量仪）